Infineon Technologies AG se ha asociado con FOXESS, un actor destacado en el sector de la energía verde, para mejorar la eficiencia y la densidad de potencia de las aplicaciones de almacenamiento de energía. Infineon suministrará sus dispositivos semiconductores de potencia avanzados a FOXESS, facilitando el desarrollo de soluciones innovadoras en la industria de la energía verde. Específicamente, Infineon proporcionará a FOXESS sus MOSFET CoolSiC de 1200 V para aplicaciones de almacenamiento de energía industrial, junto con controladores de puerta EiceDRIVER. Además, los inversores fotovoltaicos de cadena de FOXESS utilizarán dispositivos semiconductores de potencia IGBT7 H7 de 1200 V de Infineon. La serie de almacenamiento de energía H3PRO de FOXESS utiliza MOSFET CoolSiC de 1200 V de Infineon. A medida que el mercado global de sistemas de almacenamiento de energía fotovoltaica (PV-ES) continúa expandiéndose rápidamente, mejorar la densidad de energía se ha vuelto crucial para el éxito. Los dispositivos semiconductores de potencia de Infineon, incluidas las series CoolSiC MOSFET 1200 V e IGBT7 H7 1200 V, incorporan tecnologías de semiconductores de última generación diseñadas para aplicaciones industriales, abordando la creciente demanda de eficiencia y densidad de potencia en aplicaciones de almacenamiento de energía. Yu Daihui, vicepresidente senior y director de industria e infraestructura de Infineon Technologies Greater China, expresó su orgullo de colaborar con FOXESS para impulsar la descarbonización a través de una mayor densidad de potencia y sistemas más confiables para aplicaciones PV-ES. La serie R de FOXESS redefine el diseño general de el modelo de 100 kW utilizando la serie IGBT7 H7 de Infineon. Zhu Jingcheng, presidente de FOXESS, destacó las importantes mejoras en la confiabilidad y eficiencia del producto logradas gracias al soporte de los componentes avanzados de Infineon. Hizo hincapié en la experiencia técnica y la calidad del producto de Infineon como factores clave que fortalecen la competitividad y la presencia en el mercado de FOXESS. Los MOSFET CoolSiC de 1200 V de Infineon ofrecen alta densidad de potencia, lo que reduce las pérdidas en un 50 por ciento y proporciona energía adicional sin aumentar el tamaño de la batería. La serie de almacenamiento de energía H3PRO de 15 kW-30 kW de FOXESS, equipada con MOSFET CoolSiC de Infineon, ha logrado una eficiencia y un crecimiento de ventas notables en el mercado global. De manera similar, la serie TRENCHSTOP IGBT7 H7 650 V / 1200 V de Infineon mejora la eficiencia general y la densidad de potencia de inversores. Al aprovechar los dispositivos semiconductores de potencia avanzados de Infineon, FOXESS ha optimizado el diseño de su modelo industrial y comercial Serie R de 75-110 kW, logrando una eficiencia excepcional de hasta el 98,6 por ciento. Infineon ofrece una amplia gama de controladores de puerta EiceDRIVER, lo que garantiza una gran integración con todos dispositivos de alimentación, incluidos CoolSiC e IGBT, simplificando los procesos de diseño y mejorando la confiabilidad del sistema. Archivado en Inicio. Lea más sobre Infineon.